LTC6363IDCB#TRMPBF
  • image of LTC6363IDCB#TRMPBF

LTC6363IDCB#TRMPBF

Category:
Manufacturer:
Description:
IC OPAMP DIFF 1 CIRCUIT 8DFN
Package:
Packaging:
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
Price:
$10.09

Request a Quote

Stock 1337

Not satisfied with the price? Fill in the form below to send a quick RFQ and we will respond promptly.

Similar Models
NL0333DCAE1S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S-ES
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL2333AFAE2S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
NL0333DCAE1S
Nisshinbo Micro Devices Inc.
LOW POWER, ZERO-DRIFT, HIGH EMC
MIC2333T-E/MS
Microchip Technology
DUAL, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEMP
MIC333T-E/OT
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
MIC333T-E/LTY
Microchip Technology
SINGLE, ZERO-DRIFT OP AMP, E TEM
OPA383DBVR
Texas Instruments
SINGLE, ZERO-DRIFT, MICROPOWER (
INA296B3EDRQ1
Texas Instruments
AEC-Q100, -5V TO 110V, BIDIRECTI
INA241B3EDRQ1
Texas Instruments
AEC-Q100, -4V TO 110V BIDIRECTIO
Specifications
部品ステータス
Obsolete
動作温度
-40°C ~ 85°C
実装タイプ
Surface Mount
回路数
1
出力タイプ
Differential, Rail-to-Rail
スルーレート
75V/µs
電圧 - 入力オフセット
25 µV
電流 - 入力バイアス
100 nA
電流 - 出力 / チャネル
55 mA
電圧 - 供給電圧範囲（最大）
11 V
アンプタイプ
Differential
-3dB 帯域幅
35 MHz
ゲイン帯域幅積
500 MHz
電流 - 供給
1.9mA
パッケージ / ケース
8-WFDFN Exposed Pad
電圧 - 供給範囲（最小）
2.8 V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (2x3)